品牌:
Infineon (英飞凌)(50)
Eupec(2)
Fairchild (飞兆/仙童)(2)
多选
封装:
80(1)
62MM-1(1)
MODULE(2)
AG-62MM-2(4)
ECONOPP-1(1)
EconoPIM2-24(1)
EASY1B(1)
AG-62MM-1(7)
AG-EASY1B-2(2)
3(1)
AG-HYBRID2-1(2)
AG-ECONO2-6(5)
IHV-130(1)
AG-PRIME2-1(3)
AG-ECONO4-1(3)
62MM-2(1)
AG-IHMB190-2(2)
AG-ECONOD-5(1)
AG-ECONO2-4(1)
AG-ECONOPP-2(1)
AG-EASY2B-2(1)
AG-EASY2B-3(1)
AG-EASY1B-1(2)
A-IHM130-1(1)
EconoPIM-3(1)
AG-34MM-1(2)
AG-ECONO3-3(1)
AG-ECONO3-4(1)
AG-PRIME3-1(1)
F1 Module(1)
F2 Module(1)
多选
包装:
Tray(54)
型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Trans IGBT Module N-CH 650V 30A/50A 30Pin Case F2
    7904
    1+
    621.8016
    10+
    599.9840
    50+
    597.2568
    100+
    594.5296
    150+
    590.1661
    250+
    586.3480
    500+
    582.5299
    1000+
    578.1664
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FPF1C2P5MF07AM 晶体管, IGBT/场效应管, MOSFET, IPM, 231W, 39A, 620V
    2969
    1+
    503.1595
    10+
    490.0336
    50+
    479.9704
    100+
    476.4702
    200+
    473.8450
    500+
    470.3448
    1000+
    468.1571
    2000+
    465.9695
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Infineon F3L200R07PE4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 200 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装
    3665
    1+
    1094.1834
    10+
    1055.7910
    50+
    1050.9920
    100+
    1046.1929
    150+
    1038.5144
    250+
    1031.7958
    500+
    1025.0771
    1000+
    1017.3986
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Infineon F475R12KS4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A, Vce=1200 V, 24引脚 ECONO2封装
    6987
    1+
    907.3830
    10+
    875.5450
    50+
    871.5653
    100+
    867.5855
    150+
    861.2179
    250+
    855.6463
    500+
    850.0746
    1000+
    843.7070
  • 封装: AG-PRIME3-1
    品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    5879
    1+
    5858.3360
    10+
    5805.0784
    25+
    5778.4496
    50+
    5751.8208
    100+
    5725.1920
    150+
    5698.5632
    250+
    5671.9344
    500+
    5645.3056
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT模块 BSM100GB60DLC
    9485
    1+
    439.3000
    10+
    427.8400
    50+
    419.0540
    100+
    415.9980
    200+
    413.7060
    500+
    410.6500
    1000+
    408.7400
    2000+
    406.8300
  • 封装: AG-IHMB190-2
    品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT模块
    5551
    1+
    9255.9940
    10+
    9171.8486
    25+
    9129.7759
    50+
    9087.7032
    100+
    9045.6305
    150+
    9003.5578
    250+
    8961.4851
    500+
    8919.4124
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    1894
    1+
    1104.5430
    10+
    1094.5017
    25+
    1089.4811
    50+
    1084.4604
    100+
    1079.4398
    150+
    1074.4191
    250+
    1069.3985
    500+
    1064.3778
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: 62毫米C系列模块,具有快速IGBT2高频开关 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching
    1352
    1+
    846.6096
    10+
    816.9040
    50+
    813.1908
    100+
    809.4776
    150+
    803.5365
    250+
    798.3380
    500+
    793.1395
    1000+
    787.1984
  • 封装: AG-EASY1B-1
    品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    9650
    1+
    257.6000
    10+
    250.8800
    50+
    245.7280
    100+
    243.9360
    200+
    242.5920
    500+
    240.8000
    1000+
    239.6800
    2000+
    238.5600
  • 封装: AG-ECONO3-4
    品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    7553
    1+
    945.6756
    10+
    912.4940
    50+
    908.3463
    100+
    904.1986
    150+
    897.5623
    250+
    891.7555
    500+
    885.9487
    1000+
    879.3124
  • 封装: AG-ECONO3-3
    品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON FP50R12KT4G 晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module
    3298
    1+
    240.7410
    10+
    234.4608
    50+
    229.6460
    100+
    227.9713
    200+
    226.7152
    500+
    225.0405
    1000+
    223.9938
    2000+
    222.9471
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: EasyPIM MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3 UND NTC EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC
    4203
    1+
    378.2695
    10+
    368.4016
    50+
    360.8362
    100+
    358.2048
    200+
    356.2312
    500+
    353.5998
    1000+
    351.9551
    2000+
    350.3105
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    2234
    1+
    711.5196
    10+
    686.5540
    50+
    683.4333
    100+
    680.3126
    150+
    675.3195
    250+
    670.9505
    500+
    666.5815
    1000+
    661.5884
  • 封装: AG-PRIME2-1
    品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON FF900R12IE4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module
    5739
    1+
    3681.9200
    10+
    3648.4480
    25+
    3631.7120
    50+
    3614.9760
    100+
    3598.2400
    150+
    3581.5040
    250+
    3564.7680
    500+
    3548.0320
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    7266
    1+
    1268.6630
    10+
    1257.1297
    25+
    1251.3631
    50+
    1245.5964
    100+
    1239.8298
    150+
    1234.0631
    250+
    1228.2965
    500+
    1222.5298
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON FF300R12KT4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, Module
    4958
    1+
    553.2420
    10+
    538.8096
    50+
    527.7448
    100+
    523.8961
    200+
    521.0096
    500+
    517.1610
    1000+
    514.7556
    2000+
    512.3502
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
    4871
    1+
    703.4826
    10+
    678.7990
    50+
    675.7136
    100+
    672.6281
    150+
    667.6914
    250+
    663.3718
    500+
    659.0521
    1000+
    654.1154
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: INFINEON FF200R12KT4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module
    9604
    1+
    524.5725
    10+
    510.8880
    50+
    500.3966
    100+
    496.7474
    200+
    494.0105
    500+
    490.3613
    1000+
    488.0805
    2000+
    485.7998
  • 品牌: Eupec
    封装: EconoPIM-3
    品类: IGBT晶体管
    描述: IGBT - Module
    4617
    1+
    1328.7450
    10+
    1316.6655
    25+
    1310.6258
    50+
    1304.5860
    100+
    1298.5463
    150+
    1292.5065
    250+
    1286.4668
    500+
    1280.4270
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module
    1980
    1+
    729.5088
    10+
    703.9120
    50+
    700.7124
    100+
    697.5128
    150+
    692.3934
    250+
    687.9140
    500+
    683.4346
    1000+
    678.3152
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Infineon FS100R17PE4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1700 V, 20引脚 ECONO4封装
    3460
    1+
    1262.5470
    10+
    1251.0693
    25+
    1245.3305
    50+
    1239.5916
    100+
    1233.8528
    150+
    1228.1139
    250+
    1222.3751
    500+
    1216.6362
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2kA 4850000mW 10Pin Tray
    7847
    10+
    8.7120
    100+
    8.2764
    500+
    7.9860
    1000+
    7.9715
    2000+
    7.9134
    5000+
    7.8408
    7500+
    7.7827
    10000+
    7.7537
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Infineon FZ30R07W1E3B31ABOMA1 N通道 IGBT 模块, Isolated, 45 A, Vce=650 V, 24引脚 EASY1B封装
    4095
    1+
    324.1965
    10+
    315.7392
    50+
    309.2553
    100+
    307.0000
    200+
    305.3085
    500+
    303.0533
    1000+
    301.6437
    2000+
    300.2342
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Infineon FS75R07W2E3B11ABOMA1 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 95 A, Vce=650 V, 37引脚 EASY2B封装
    1141
    1+
    427.8575
    10+
    416.6960
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    399.9538
    1000+
    398.0935
    2000+
    396.2333
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 700 A, 1.3 V, 1.55 kW, 650 V, Module
    6064
    1+
    5360.3000
    10+
    5311.5700
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    250+
    5189.7450
    500+
    5165.3800
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Infineon FS75R12W2T4B11BOMA1 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 107 A, Vce=1200 V, 33引脚 EASY2B封装
    3670
    1+
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    451.9088
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    1000+
    431.7343
    2000+
    429.7169
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Infineon FS50R12KT4B15BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=1200 V, 28引脚 ECONO2封装
    5340
    1+
    540.0400
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    1000+
    502.4720
    2000+
    500.1240
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: EconoPACK™ + D-series 1700V sixpack IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, enhanced Emitter Controlled diode, NTC, PressFIT Contact Technology and pre-applied Thermal Interface Material - The best solution for your industry applications.
    2670
    1+
    10218.9010
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    500+
    9847.3046
  • 品类: IGBT晶体管
    描述: Infineon FS100R07N2E4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=650 V, 25引脚 ECONO2封装
    6559
    1+
    721.0386
    10+
    695.7390
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    500+
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    670.4394

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