型号/品牌/封装
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资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 650V 30A/50A 30Pin Case F279041+¥621.801610+¥599.984050+¥597.2568100+¥594.5296150+¥590.1661250+¥586.3480500+¥582.52991000+¥578.1664
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FPF1C2P5MF07AM 晶体管, IGBT/场效应管, MOSFET, IPM, 231W, 39A, 620V29691+¥503.159510+¥490.033650+¥479.9704100+¥476.4702200+¥473.8450500+¥470.34481000+¥468.15712000+¥465.9695
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon F3L200R07PE4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 200 A, Vce=650 V, 20引脚 ECONO4封装36651+¥1094.183410+¥1055.791050+¥1050.9920100+¥1046.1929150+¥1038.5144250+¥1031.7958500+¥1025.07711000+¥1017.3986
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon F475R12KS4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 双半桥, 100 A, Vce=1200 V, 24引脚 ECONO2封装69871+¥907.383010+¥875.545050+¥871.5653100+¥867.5855150+¥861.2179250+¥855.6463500+¥850.07461000+¥843.7070
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。58791+¥5858.336010+¥5805.078425+¥5778.449650+¥5751.8208100+¥5725.1920150+¥5698.5632250+¥5671.9344500+¥5645.3056
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT模块 BSM100GB60DLC94851+¥439.300010+¥427.840050+¥419.0540100+¥415.9980200+¥413.7060500+¥410.65001000+¥408.74002000+¥406.8300
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT模块55511+¥9255.994010+¥9171.848625+¥9129.775950+¥9087.7032100+¥9045.6305150+¥9003.5578250+¥8961.4851500+¥8919.4124
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。18941+¥1104.543010+¥1094.501725+¥1089.481150+¥1084.4604100+¥1079.4398150+¥1074.4191250+¥1069.3985500+¥1064.3778
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品类: IGBT晶体管描述: 62毫米C系列模块,具有快速IGBT2高频开关 62mm C-Series module with the fast IGBT2 for high-frequency switching13521+¥846.609610+¥816.904050+¥813.1908100+¥809.4776150+¥803.5365250+¥798.3380500+¥793.13951000+¥787.1984
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。96501+¥257.600010+¥250.880050+¥245.7280100+¥243.9360200+¥242.5920500+¥240.80001000+¥239.68002000+¥238.5600
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。75531+¥945.675610+¥912.494050+¥908.3463100+¥904.1986150+¥897.5623250+¥891.7555500+¥885.94871000+¥879.3124
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FP50R12KT4G 晶体管, IGBT阵列&模块, NPN, 50 A, 1.85 V, 280 W, 1.2 kV, Module32981+¥240.741010+¥234.460850+¥229.6460100+¥227.9713200+¥226.7152500+¥225.04051000+¥223.99382000+¥222.9471
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品类: IGBT晶体管描述: EasyPIM MODUL MIT海沟/ Feldstopp IGBT3 UND发射极控制二极管3 UND NTC EasyPIM Modul mit Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode und NTC42031+¥378.269510+¥368.401650+¥360.8362100+¥358.2048200+¥356.2312500+¥353.59981000+¥351.95512000+¥350.3105
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。22341+¥711.519610+¥686.554050+¥683.4333100+¥680.3126150+¥675.3195250+¥670.9505500+¥666.58151000+¥661.5884
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF900R12IE4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 900 A, 1.75 V, 5.1 kW, 1.2 kV, Module57391+¥3681.920010+¥3648.448025+¥3631.712050+¥3614.9760100+¥3598.2400150+¥3581.5040250+¥3564.7680500+¥3548.0320
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。72661+¥1268.663010+¥1257.129725+¥1251.363150+¥1245.5964100+¥1239.8298150+¥1234.0631250+¥1228.2965500+¥1222.5298
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF300R12KT4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 450 A, 1.75 V, 1.6 kW, 1.2 kV, Module49581+¥553.242010+¥538.809650+¥527.7448100+¥523.8961200+¥521.0096500+¥517.16101000+¥514.75562000+¥512.3502
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块,Infineon **Infineon** 系列 IGBT 模块提供低切换损耗,用于高达 60 khz 频率的切换。 IGBT 跨一系列电源模块,如 ECONOPACK 封装,1200V 时带集电极开路发射器电压;PrimePACK IGBT 半桥斩波器模块,其 NTC 高达 1600/1700V。 PrimePACK IGBT 可在工业、商业、建筑和农业车辆中找到。 N 通道 TRENCHSTOP TM 和 Fieldstop IGBT 模块适用于硬切换和软切换应用,例如反相器、UPS 和工业驱动器。 封装类型包括:62mm 模块、EasyPACK、EconoPACKTM2/EconoPACKTM3/EconoPACKTM4 ### IGBT 分立件和模块,Infineon 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。48711+¥703.482610+¥678.799050+¥675.7136100+¥672.6281150+¥667.6914250+¥663.3718500+¥659.05211000+¥654.1154
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品类: IGBT晶体管描述: INFINEON FF200R12KT4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module96041+¥524.572510+¥510.888050+¥500.3966100+¥496.7474200+¥494.0105500+¥490.36131000+¥488.08052000+¥485.7998
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品类: IGBT晶体管描述: 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 75 A, 1.85 V, 385 W, 1.2 kV, Module19801+¥729.508810+¥703.912050+¥700.7124100+¥697.5128150+¥692.3934250+¥687.9140500+¥683.43461000+¥678.3152
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon FS100R17PE4BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1700 V, 20引脚 ECONO4封装34601+¥1262.547010+¥1251.069325+¥1245.330550+¥1239.5916100+¥1233.8528150+¥1228.1139250+¥1222.3751500+¥1216.6362
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 1.2kA 4850000mW 10Pin Tray784710+¥8.7120100+¥8.2764500+¥7.98601000+¥7.97152000+¥7.91345000+¥7.84087500+¥7.782710000+¥7.7537
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon FZ30R07W1E3B31ABOMA1 N通道 IGBT 模块, Isolated, 45 A, Vce=650 V, 24引脚 EASY1B封装40951+¥324.196510+¥315.739250+¥309.2553100+¥307.0000200+¥305.3085500+¥303.05331000+¥301.64372000+¥300.2342
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon FS75R07W2E3B11ABOMA1 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 95 A, Vce=650 V, 37引脚 EASY2B封装11411+¥427.857510+¥416.696050+¥408.1389100+¥405.1625200+¥402.9302500+¥399.95381000+¥398.09352000+¥396.2333
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品类: IGBT晶体管描述: 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 700 A, 1.3 V, 1.55 kW, 650 V, Module60641+¥5360.300010+¥5311.570025+¥5287.205050+¥5262.8400100+¥5238.4750150+¥5214.1100250+¥5189.7450500+¥5165.3800
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon FS75R12W2T4B11BOMA1 N通道 IGBT 模块, 共集电极, 107 A, Vce=1200 V, 33引脚 EASY2B封装36701+¥464.013510+¥451.908850+¥442.6285100+¥439.4006200+¥436.9797500+¥433.75181000+¥431.73432000+¥429.7169
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon FS50R12KT4B15BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 50 A, Vce=1200 V, 28引脚 ECONO2封装53401+¥540.040010+¥525.952050+¥515.1512100+¥511.3944200+¥508.5768500+¥504.82001000+¥502.47202000+¥500.1240
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品类: IGBT晶体管描述: EconoPACK™ + D-series 1700V sixpack IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, enhanced Emitter Controlled diode, NTC, PressFIT Contact Technology and pre-applied Thermal Interface Material - The best solution for your industry applications.26701+¥10218.901010+¥10126.001925+¥10079.552450+¥10033.1028100+¥9986.6533150+¥9940.2037250+¥9893.7542500+¥9847.3046
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品类: IGBT晶体管描述: Infineon FS100R07N2E4B11BOSA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=650 V, 25引脚 ECONO2封装65591+¥721.038610+¥695.739050+¥692.5766100+¥689.4141150+¥684.3542250+¥679.9268500+¥675.49931000+¥670.4394